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IXTA 86N20T
IXTP 86N20T
IXTQ 86N20T
26
Fig. 13. Resistiv e Turn-on
Rise Time v s. Junction Temperature
27
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time v s. Drain Current
24
22
20
18
16
I D = 86A
R G = 3.3 Ω
V GS = 15V
V DS = 100V
25
23
21
19
17
R G = 3.3 Ω
V GS = 15V
V DS = 100V
T J = 25oC
15
14
12
10
I D = 43A
13
11
9
T J = 125oC
25
35
45
55
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75
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105
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70
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80
85
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistiv e Turn-on
Switching Times v s. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistiv e Turn-off
Switching Times v s. Junction Temperature
32
32
66
30
t r
t d(on) - - - -
23
30
64
28
T J = 125oC, V GS = 15V
26
24
22
20
V DS = 100V
I D = 86A
22
21
28
26
24
22
I D = 43A
62
60
58
56
18
I D = 43A
20
20
I D = 86A
54
16
14
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10
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18
18
16
14
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 Ω , V GS = 15V
V DS = 100V
52
50
48
3
4
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6
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95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times v s. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistiv e Turn-off
Switching Times v s. Gate Resistance
34
68
70
170
32
T J = 25oC
66
65
t f
t d(off) - - - -
160
30
64
60
T J = 125oC, V GS = 15V
I D = 43A, 86A
150
28
26
T J = 125oC
62
60
55
50
V DS = 100V
140
130
45
120
24
t f
t d(off) - - - -
58
40
110
22
R G = 3.3 Ω , V GS = 15V
56
35
100
20
18
16
14
12
T J = 125oC
T J = 25oC
V DS = 100V
54
52
50
48
46
30
25
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I D - Amperes
R G - Ohms
IXYS REF: T_86N20T (6E) 6-30-06
? 2006 IXYS All rights reserved
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